住友電工、高耐熱高誘電材料を適用した窒化ガリウムトランジスタを開発

株式

2022/10/19 15:58

 住友電気工業<5802.T>は18日、さらなる大容量・高速通信を実現するポスト5Gを見据え、GaN結晶にN極性を、ゲート絶縁膜に世界初のハフニウム(Hf)系の高耐熱高誘電材料を適用した、窒化ガリウムトランジスタ「GaN-HEMT」を開発したと発表した。

 同社では、長年の結晶成長技術を生かし、ヒロックの無い高品質なN極性の結晶を実現すると共に、課題であったゲート絶縁膜に最先端のSiトランジスタで用いられるハフニウム(Hf)系の高耐熱高誘電材料の一種を世界で初めて適用することで、高誘電材料を用いたN極性結晶のトランジスタを完成させ、良好な高周波特性を実現したという。

 19日の終値は、前日比6.5円高の1542.5円。

提供:モーニングスター社

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